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SK200MB120TSCE2

MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample

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SK200MB120TSCE2 Semikron
SK200MB120TSCE2 Semikron
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ID Code:182130
Fabricant:Semikron
Prix: sur demande
VAT:21 %
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: SK200MB120TSCE2
Unité:: pcs
MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
• Extremely low inductance design: LCE=6nH
• Press-Fit contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Heat transfer and insulation through direct copper bonded aluminum oxide ceramic (DBC)
• 1200V CoolSiC MOSFET
• UL recognized file no. E 63 532
• Integrated NTC temperature sensor

Informations de base :

Marquage fabricantSK200MB120TSCE2 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:2*FET-BD 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SEMITOP-E2 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:35 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):12 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)137 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf (turn-off=fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)372 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.3 [°C/W]
L - Longueur 57 [mm]
W - Largeur 63 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]

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