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SK35GD12T4ETE1
IGBT 1200V
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| ID Code: | 182131 |
| Fabricant: | Semikron |
| Prix: | sur demande |
| VAT: | 21 % |
| Stock total: | 0 pcs |
| Marquage fabricant: | SK35GD12T4ETE1 |
| Unité:: | pcs |
IGBT 1200V
Informations de base :
| Marquage fabricant | SK35GD12T4ETE1 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Configuration: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
| Construction: | 6*(IGBT+D) |
| Nombre de circuits | 6 ks |
| Type de cas: | Modul |
| Cas [inch] : | SEMITOP-E1 |
| Type de matériel: | Si-Silicon |
| RoHS | Oui |
| REACH | Non |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
| Unité: | pcs |
| Poids: | 24 [g] |
| Type d’emballage: | BOX |
| Petit paquet (nombre d'unités): | 10 |
Paramètres électro-physiques:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 43 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 35 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
| Cin/CL Load Capacitance | 1950 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
| Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
| Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
| Rthjc (case) | 1.2 [°C/W] |