IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Informations de base :
Marquage fabricant | SK150MLIT12F4TE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | 3-level NPC Inverter |
Construction: | 4*IGBT+6*D |
Nombre de circuits | 4 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SEMITOP-E2 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 34 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 10 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 149 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 119 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.4 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.05 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 849 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 8310 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.91 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.51 [°C/W] |
L - Longueur | 57 [mm] |
W - Largeur | 63 [mm] |
H - Hauteur | 17 [mm] |