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FDS6680A

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

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FDS6680A ON Semiconductor (Farchild)
FDS6680A ON Semiconductor (Farchild)
FDS6680A ON Semiconductor (Farchild)
FDS6680A ON Semiconductor (Farchild)
pcs
ID Code:182572
Fabricant:ON Semiconductor (Farchild)
Prix avec TVA : 0,741158 €
Prix hors TVA : 0,612527 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:2500 pcs
Marquage fabricant: FDS6680A
Entrepôt central Zdice: 2500 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
3 + 0,612527 €0,741158 €
25 + 0,537443 €0,650306 €
100 + 0,490022 €0,592927 €
500 + 0,458407 €0,554672 €


Informations de base :

Marquage fabricantFDS6680A 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SO- 8 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.7 [g]
Type d’emballage:K33B 
Petit paquet (nombre d'unités):2500 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -30 [V]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2.5 [W]
Input Logic Level (Ugs level)3V 
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)13 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)9.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)28 [ns]
Qg (Total Gate Charge)16 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1620 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)25 [°C/W]
Rthja (ambient)50 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
Number of Pins
L - Longueur 4.9 [mm]
W - Largeur 3.9 [mm]
H - Hauteur 1.7 [mm]
PIN dimensions0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets1.1 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:129780 - IRF7220 (INF) 
Produits de substitution 1:IRF9388 

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