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TG 650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

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TG 650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
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TG 650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182871
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 618,444444 €
Prix hors TVA : 511,111111 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:32 pcs
Marquage fabricant: TG650HF17H2-S300
Entrepôt central Zdice: 32 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 511,111111 €618,444444 €
3 + 498,333333 €602,983333 €
6 + 472,777778 €572,061111 €
12 + 434,444444 €525,677777 €
IGBT 1700V / 650A

Informations de base :

Marquage fabricantTG650HF17H2-S300 
Type de composant:IGBT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :PrimePACK2 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:990 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):
Grand paquet (BOX):12 

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)650 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)4160  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf (turn-off=fall time)360 [ns]
Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin/CL Load Capacitance83000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:172x89x38 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]
L - Longueur 172 [mm]
W - Largeur 89 [mm]
H - Hauteur 38 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:184924 - DIM 650H2HS17-PA500 (DYN) 
Produits de substitution 1:FF650R17IE4D 
Produits de substitution 2:2MBI650VXA-17E 

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