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TG650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

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TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182871
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 587,9356 €
Prix hors TVA : 485,8972 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: TG650HF17H2-S300
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (Délai de livraison de 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 485,8972 €587,9356 €
5 + 462,7740 €559,9565 €
IGBT 1700V / 650A

Informations de base :

Marquage fabricantTG650HF17H2-S300 
Type of casing:!_mod_! 
Cas:!_primepack2_! 
Type de composant:!_no info_! 
Configuration:!_half bridge_! 
RoHSOui 
REACH!_ne_! 
NOVINKA

Paramètres électriques :

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)650 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)4160  [W]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf (turn-off=fall time)360 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.01 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin/CL Load Capacitance83000 pF

Matériel, couleur, design :

Type de matériel:Cu base 
Matériel: Boîtier!_si-silicon_! 

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]

Dimensions:

PIN dimensions0.00 [mm]

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:900 [g]
Emballage:10 

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:FF650R17IE4D 
Produits de substitution 2:2MBI650VXA-17E 

Votre requête TG650HF17H2-S300

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