IGBT 1200V
ID Code: | 183412 |
Fabricant: | Dynex Semiconductor |
Prix avec TVA : | 200,160443 € |
Prix hors TVA : | 165,421853 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilité: | sur demande |
Stock total: | 0 pcs |
Marquage fabricant: | TG 450HF12M1-S3A00 |
Entrepôt central Zdice: | 0 pcs |
Unité:: | pcs |
Aperçu des remises sur volume | Quantité (pcs) | Prix hors TVA | Prix avec TVA | |
1 + | 165,421853 € | 200,160442 € | ||
3 + | 158,229599 € | 191,457815 € | ||
6 + | 143,845090 € | 174,052559 € | ||
12 + | 129,460581 € | 156,647303 € |
Marquage fabricant | TG 450HF12M1-S3A00 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construction: | 2*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SEMiX-3p |
Type de matériel: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unité: | pcs |
Poids: | 450 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 450 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 450 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.65 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2800 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 260 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 4600 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 62000 pF |
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.052 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
L - Longueur | 150 [mm] |
W - Largeur | 62 [mm] |
H - Hauteur | 21 [mm] |
Alternative 1: | 185021 - DIM 450M1HS12-PB500 (DYN) |