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TG 450HF12M1-S3A00

IGBT 1200V

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TG 450HF12M1-S3A00 Dynex Semiconductor
TG 450HF12M1-S3A00 Dynex Semiconductor
TG 450HF12M1-S3A00 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:183412
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 200,160443 €
Prix hors TVA : 165,421853 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: TG 450HF12M1-S3A00
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 165,421853 €200,160442 €
3 + 158,229599 €191,457815 €
6 + 143,845090 €174,052559 €
12 + 129,460581 €156,647303 €
IGBT 1200V

Informations de base :

Marquage fabricantTG 450HF12M1-S3A00 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SEMiX-3p 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:450 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):10 

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)450 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.65 [V]
I2t (TC/TA=25°C)4600 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2800  [W]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf (turn-off=fall time)260 [ns]
Qg (Total Gate Charge)4600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance62000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:150x62x21 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.052 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.086 [°C/W]
L - Longueur 150 [mm]
W - Largeur 62 [mm]
H - Hauteur 21 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:185021 - DIM 450M1HS12-PB500 (DYN) 

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