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CCS050M12CM2

SiC MOSFET 1200V / 59A SixPack

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CCS050M12CM2 Cree
pcs
ID Code:183781
Fabricant:Cree
Prix avec TVA : 557,063821 €
Prix hors TVA : 460,383323 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: CCS050M12CM2
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 460,383323 €557,063821 €
3 + 454,060462 €549,413159 €
5 + 450,859514 €545,540012 €
10 + 447,698083 €541,714680 €
SiC MOSFET 1200V / 59A SixPack

Informations de base :

Marquage fabricantCCS050M12CM2 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 3f 
Spécifications:SiC Enhancement Mode MOSF 
Construction:6*FET-BD+6*D 
Type de cas:Modul 
Type de matériel:SiC Full 
Material BaseCu 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:330 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):12 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)59 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)5000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)312  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)19 [ns]
tf (turn-off=fall time)21 [ns]
Qg (Total Gate Charge)32 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2810 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.37 [°C/W]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:MSCSM120TAM31CT3AG 

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