IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC
Informations de base :
Marquage fabricant | DIM1200ASM45-TF000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuration: | single-E3*(T+D) |
Construction: | 3*(IGBT+D) |
Nombre de circuits | 3 ks |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | MODUL-A |
Type de matériel: | Base AlSiC |
Matériel: Boîtier | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 2010.2 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 2 |
Paramètres électro-physiques:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 7400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12500 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 400 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 150000 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 190x140x48 |
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.008 [°C/W] |
L - Longueur | 190 [mm] |
W - Largeur | 140 [mm] |
H - Hauteur | 48 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | CM1200HC-90R |