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DIM 800XSM45-TL001

IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

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DIM 800XSM45-TL001 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TL001 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TL001 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:184127
Fabricant:Dynex Semiconductor
Prix avec TVA : 1 003,866059 €
Prix hors TVA : 829,641371 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: DIM800XSM45-TL001
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 829,641371 €1 003,866059 €
3 + 808,916188 €978,788587 €
6 + 767,426194 €928,585695 €
12 + 705,211016 €853,305329 €
IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

Informations de base :

Marquage fabricantDIM800XSM45-TL001 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuration:single-E2*(T+D) 
Construction:2*(IGBT+D) 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MODUL-X 
Type de matériel:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:1018.6 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)205000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)8300  [W]
tr (Turn-on / rise time)350 [ns]
tf (turn-off=fall time)600 [ns]
Qg (Total Gate Charge)15000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance100000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:130x140x48 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]
L - Longueur 130 [mm]
W - Largeur 140 [mm]
H - Hauteur 48 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:FZ800R45KL3_B5 
Produits de substitution 2:CM800HG-90R 

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