MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
Informations de base :
Marquage fabricant | BSC026N08NS5ATMA1 |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | SON- 8 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 212 [g] |
Type d’emballage: | BOX |
Petit paquet (nombre d'unités): | 5000 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 80 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 2450 [A2s] |
tr (Turn-on / rise time) | 14 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 16 [ns] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 120 [°C] |
Rthjc (case) | 20 [°C/W] |