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C2M0080120D

1200V Mosfet SiC, 36A / TO-247

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C2M0080120D Cree
C2M0080120D Cree
C2M0080120D Cree
pcs
ID Code:184408
Fabricant:Cree
Prix avec TVA : 24,849921 €
Prix hors TVA : 20,537125 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: C2M0080120D
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 20,537125 €24,849921 €
3 + 19,628752 €23,750790 €
5 + 19,194313 €23,225119 €
10 + 17,772512 €21,504740 €
1200V Mosfet SiC, 36A / TO-247

Informations de base :

Marquage fabricantC2M0080120D 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:single 1*(T-BD) 
Spécifications:SiC Enhancement Mode MOSF 
Construction:1*FET-BD 
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :TO-247AD_3 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:7.2 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):25 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)24 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)192  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)45 [ns]
tr (Turn-on / rise time)20 [ns]
tf (turn-off=fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)62 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2788 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
RM - Pitch pins5.45 [mm]
Number of Pins
D - Diamètre extérieur 3.65 [mm]
L - Longueur 21 [mm]
W - Largeur 16 [mm]
H - Hauteur [mm]
PIN dimensions1,4 [mm]
Lv - Length of outlets19.8 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:185662 - MSC080SMA120B (MCH) 
Produits de substitution 1:MSC080SMA120B4 
Produits de substitution 2:MSC080SMA120B 

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