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GB75DA120UP

IGBT 1200V

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GB75DA120UP Vishay
GB75DA120UP Vishay
GB75DA120UP Vishay
GB75DA120UP Vishay
pcs
ID Code:149986
Fabricante:Vishay
Precio con IVA : 49,747630 €
Precio sin IVA : 41,113744 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: GB75DA120UP
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 41,113744 €49,747630 €
5 + 38,783570 €46,928120 €
10 + 34,083728 €41,241311 €
20 + 32,898894 €39,807662 €
IGBT 1200V

Información básica:

Fabricante de la marcaGB75DA120UP 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:single 1*(T+D) 
Construcción:1*(IGBT+D) 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)131 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)89 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)3.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)3.3 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)658  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)210 [ns]
tr (Turn-on / rise time)45 [ns]
tf (turn-off=fall time)126 [ns]
Qg (Total Gate Charge)690 [nC]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.19 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
H - Altura 12 [mm]

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I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 I+case 25,4x 38,2_F05-AL2   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Fabricante no.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Cantidad [pcs]1+40+80+200+
EUR/pcs0,7701420,7424960,6911530,639810
Stock total: 7491
Fabricante: SEMIC EU  
RoHS
Todos los precios aparecen sin IVA y no incluyen los costos, que se sumarán a la orden como un elemento independiente de envío.

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