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IPD135N08N3G

80V 45A/25°C , TO-252

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IPD135N08N3G Infineon Technologies
IPD135N08N3G Infineon Technologies
IPD135N08N3G Infineon Technologies
IPD135N08N3G Infineon Technologies
pcs
ID Code:161148
Fabricante:Infineon Technologies
Precio con IVA : 1,008333 €
Precio sin IVA : 0,833333 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: IPD135N08N3G
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 0,833333 €1,008333 €
25 + 0,687204 €0,831517 €
100 + 0,651659 €0,788507 €
1000 + 0,616114 €0,745498 €
80V 45A/25°C , TO-252

Información básica:

Fabricante de la marcaIPD135N08N3G 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :DPAK 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:0.36 [g]
Paquete pequeño (Número de unidades):2500 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 80 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)39 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)79  [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)16 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)11.4 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)50 [ns]
Qg (Total Gate Charge)19 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1300 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)1.9 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
L - Longitud 6.5 [mm]
W - Ancho 2.3 [mm]
H - Altura 6.1 [mm]

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