-40V -3,4A/25°C/2W -2.7A/70°C 112mO *L , Rthja=62,5°C
Informations de base :
Marquage fabricant | IRF5803TR |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuration: | Single 1*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 1*FET-BD |
Nombre de circuits | 1 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | SOT-223/6 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Non |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Type d’emballage: | K18A |
Petit paquet (nombre d'unités): | 3000 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -40 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | -2.7 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 190 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 112 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 25 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1110 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | SOT-223/6 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 62.5 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 7 [mm] |
L - Longueur | 6.5 [mm] |
W - Largeur | 3.5 [mm] |
H - Hauteur | 1.8 [mm] |
PIN dimensions | 0,46x0,28 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.04 [mm] |