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IRF5804TR

-40V -2,5A/25°C/2W -2A/70°C/1,3W ,-10V/198mO -4,5V/334mO Rthj

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IRF5804TR Infineon Technologies
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Plus en stock
ID Code:129766
Fabricant:Infineon Technologies
Prix: sur demande
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: IRF5804TRPBF
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
-40V -2,5A/25°C/2W -2A/70°C/1,3W ,-10V/198mO -4,5V/334mO Rthj

Informations de base :

Marquage fabricantIRF5804TRPBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SOT-223/6 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Type d’emballage:K18A 
Petit paquet (nombre d'unités):3000 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -40 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-2 [A]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)334 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)198 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)24 [ns]
Qg (Total Gate Charge)5.7 [nC]
Cin/CL Load Capacitance680 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:SOT-223/6 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
L - Longueur 6.5 [mm]
W - Largeur 3.5 [mm]
H - Hauteur 1.8 [mm]
PIN dimensions0,46x0,28 [mm]
Lv - Length of outlets1.04 [mm]

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