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IRF6215S

-150V -13A/25°C -9A/100°C 290mO , Rthja=40°C/W 110W/25°C

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IRF6215S Infineon Technologies
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ID Code:129768
Fabricant:Infineon Technologies
Prix: sur demande
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: IRF6215SPBF
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
-150V -13A/25°C -9A/100°C 290mO , Rthja=40°C/W 110W/25°C

Informations de base :

Marquage fabricantIRF6215SPBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuration:Single 1*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:1*FET-BD 
Nombre de circuits 1 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :D2-PAK 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:4.8 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):50 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -150 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-9 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)110  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)290 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)160 [ns]
Qg (Total Gate Charge)66 [nC]
Cin/CL Load Capacitance860 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:D2-PAK 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)1.4 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
RM - Pitch pins2.54 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 5.08 [mm]
L - Longueur 8.7 [mm]
W - Largeur 10 [mm]
H - Hauteur 4.4 [mm]
PIN dimensions0,85x0,55 [mm]
Lv - Length of outlets2.6 [mm]

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