25V/-25V; 3.5/-2.3A/25°C; 2.8/-1.8A/70°C; 100mO/250mO; Rthja=62.5°C/W
Informations de base :
Marquage fabricant | IRF7105PBF |
Type de composant: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N+P-Channel |
Configuration: | Single 2*(T-BD) |
Spécifications: | Enhancement Mode |
Construction: | 2*FET-BD |
Nombre de circuits | 2 ks |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | SO- 8 |
Type de matériel: | Si-Silicon |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 0.7 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 95 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 25/-25 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 2.8 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 140 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 83 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 36 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 9.4 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 330 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 4.90*3.90*1.70 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 62.5 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 1.27 [mm] |
RM1 - Espacement de lignes | 6 [mm] |
Number of Pins | 8 |
L - Longueur | 4.9 [mm] |
W - Largeur | 3.9 [mm] |
H - Hauteur | 1.7 [mm] |
PIN dimensions | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.1 [mm] |