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IRF7309PBF

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7309PBF Infineon Technologies
IRF7309PBF Infineon Technologies
IRF7309PBF Infineon Technologies
IRF7309PBF Infineon Technologies
pcs
ID Code:138076
Fabricant:Infineon Technologies
Prix avec TVA : 1,181071 €
Prix hors TVA : 0,976092 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:163 pcs
Marquage fabricant: IRF7309PBF
Entrepôt central Zdice: 163 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 0,976092 €1,181071 €
5 + 0,893104 €1,080656 €
10 + 0,814068 €0,985022 €
48 + 0,770599 €0,932425 €
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R

Informations de base :

Marquage fabricantIRF7309PBF 
Type de composant:FET Tranzistor 
KategorieFET N+P-Channel 
Configuration:Single 2*(T-BD) 
Spécifications:Enhancement Mode 
Construction:2*FET-BD 
Nombre de circuits 2 ks
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :SO- 8 
Type de matériel:Si-Silicon 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:0.7 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):95 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30/-30 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)3.2 [A]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)1.4 [W]
Input Logic Level (Ugs level)5V 
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)80 [mΩ]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)50 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)47 [ns]
Qg (Total Gate Charge)25 [nC]
Cin/CL Load Capacitance520 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)150 [°C]
Rthja (ambient)90 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Espacement de lignes [mm]
Number of Pins
L - Longueur 4.9 [mm]
W - Largeur 3.9 [mm]
H - Hauteur 1.7 [mm]
PIN dimensions0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets1.1 [mm]

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