-55V -12A/25°C -8.5A/100°C 175mO , 45W/25°C Rthjc=3,3°C/W
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF9Z24NS |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | D2-PAK |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 4.8 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -55 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -8.5 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 45 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 175 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 47 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 19 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 350 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 3.3 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Ráster | 2.54 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 5.08 [mm] |
L - Longitud | 8.7 [mm] |
W - Ancho | 10 [mm] |
H - Altura | 4.4 [mm] |
PIN dimensiones | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | - IRF9530NS () |