60V 2.5A/25°C 1.8A/100°C 100mO , 1.3W/25°C Rthja=120°C/W
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | IRLD024PBF |
Tipo di componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configurazione: | Single 1*(T-BD) |
Specifica: | Enhancement Mode |
Costruzione: | 1*FET-BD |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | THT |
Caso [inch] : | DIL- 4H |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 0.98 [g] |
Tipo di imballaggio: | TUBE |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 100 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 60 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 1.8 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1.3 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 100 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 110 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 18 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 870 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | DIL- 4 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
Rthja (ambient) | 120 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
RM1 - Spaziatura delle righe | 8.5 [mm] |
Number of Pins | 4 |
L - Lunghezza | 4.9 [mm] |
W - Larghezza | 6.2 [mm] |
H - Altezza | 4.2 [mm] |
PIN dimensioni | 0,40x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 3.7 [mm] |