Low side 50V 200mO limit=1.8/4/6A ,
Información básica:
Fabricante de la marca | IRSF3031 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-220AB |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 2.4 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 50.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 4 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 30 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 200 [mΩ] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 60 [°C/W] |
RM - Ráster | 2.5 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Longitud | 15 [mm] |
L1 - Longitud | 6.5 [mm] |
W - Ancho | 10 [mm] |
H - Altura | 4 [mm] |
PIN dimensiones | 1 [mm] |
Lv - Length of outlets | 12.7 [mm] |