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IXTA76P10T

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IXTA76P10T Ixys
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IXTA76P10T Ixys
Stück
ID Code:173595
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 5,507624 €
Preis ohne MwSt. : 4,551755 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: IXTA76P10T
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXTA76P10T 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse [inch] :D2-PAK 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:4.8 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -100 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

UF (maximum forward voltage)-1.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)298 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)25 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)197 [nC]
Cin (Input Capacitance)13700 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:D2-PAK 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.42 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster2.54 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 5.08 [mm]
L - Länge 8.7 [mm]
W - Breite 10 [mm]
H - Höhe 4.4 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,85x0,55 [mm]
Lv - Anschlusslänge2.6 [mm]

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