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IXTX32P60P

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IXTX32P60P Ixys
IXTX32P60P Ixys
IXTX32P60P Ixys
Stück
ID Code:182303
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 13,675558 €
Preis ohne MwSt. : 11,302114 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: IXTX32P60P
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXTX32P60P 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :SUPER-247 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Pmax mit Kühler (TC=25°C)890 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)350 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)480 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Anzahl der Stifte

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:178029 - DAMI320N100 (DAC) 

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