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MSC025SMA120S

1200V Mosfet SiC, 89A / D3PAK

pcs
ID Code:186369
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 56,509676 €
Prix hors TVA : 46,702212 €
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:30 pcs
Marquage fabricant: MSC025SMA120S
Entrepôt central Zdice: 30 pcs
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 46,702212 €56,509677 €
5 + 44,757504 €54,156580 €
10 + 39,474724 €47,764416 €
25 + 37,680490 €45,593393 €
1200V Mosfet SiC, 89A / D3PAK Fast and reliable body diode

Informations de base :

Marquage fabricantMSC025SMA120S 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:single 1*(T-BD) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:1*FET-BD 
Type de cas:SMD 
Cas [inch] :TO-268AA 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:4.2 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):30 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)63 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)370  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)14 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:TO-268 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
RM - Pitch pins5.45 [mm]
L - Longueur 15 [mm]
W - Largeur 16 [mm]
H - Hauteur [mm]
PIN dimensions1,32 [mm]
Lv - Length of outlets3.81 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:C3M0032120J1 

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