1200V Mosfet SiC, 89A / D3PAK Fast and reliable body diode
Informations de base :
Marquage fabricant | MSC025SMA120S |
Délai de livraison en usine | 42wk-49wk [wk] |
Type de composant: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuration: | single 1*(T-BD) |
Spécifications: | SiC N-Channel MOSFET |
Construction: | 1*FET-BD |
Type de cas: | SMD |
Cas [inch] : | TO-268AA |
Type de matériel: | SiC Full |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 4.2 [g] |
Type d’emballage: | TUBE |
Petit paquet (nombre d'unités): | 30 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 63 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 370 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 14 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 18 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3020 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Dimensions (L*W*H) [mm]: | TO-268 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
L - Longueur | 15 [mm] |
W - Largeur | 16 [mm] |
H - Hauteur | 5 [mm] |
PIN dimensions | 1,32 [mm] |
Lv - Length of outlets | 3.81 [mm] |
Alternatives et remplacements
Produits de substitution 1: | C3M0032120J1 |