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MSC080SMA120S

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in a TO-268 (D3PAK) package, Id = 35A

pcs
ID Code:187563
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 21,08 €
Prix hors TVA : 17,43 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSC080SMA120S
Unité:: pcs
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25 + 14,06 €17,01 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSC080SMA120S 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:single 1*(T-BD) 
Spécifications:!_sic n-channel mosfet_! 
Construction:1*FET-BD 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:SMD 
Cas:!_to-268aa_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:4.2 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):30 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)25 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)182  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)34 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf (turn-off=fall time)15 [ns]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.83 [°C/W]
RM - Pitch pins5.45 [mm]
Number of Pins
W - Largeur 16 [mm]
L - Longueur 15 [mm]
H - Hauteur [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-268 [mm]
PIN dimensions1,32 [mm]
Lv - Length of outlets3.81 [mm]

Alternatives et remplacements

Produits de substitution 1:C3M0032120J1 

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