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MSCSM120AM027CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

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MSCSM120AM027CD3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM027CD3AG Microsemi / Microchip Technology
pcs
ID Code:185288
Fabricant:Microsemi / Microchip Technology
Prix avec TVA : 1 600,8293 €
Prix hors TVA : 1 322,9994 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120AM027CD3AG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (délai de livraison 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 322,9994 €1 600,8293 €
5 + 1 267,8938 €1 534,1515 €
10 + 1 212,7495 €1 467,4269 €
25 + 1 157,6439 €1 400,7491 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120AM027CD3AG 
Type of casing:MODUL 
Cas:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Type de composant:!_n-mosfet_! 
Configuration:!_half bridge_! 
Type de matériel:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSOui 
REACHOui 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:350 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
PIN dimensions0.00 [mm]

Alternatives et remplacements

Alternative 1:180902 - CAS120M12BM2 (WO) 
Alternative 2:174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK) 
Produits de substitution 1:MD400HFR120C2S 
Produits de substitution 2:FF2MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Marquage Fabricant: F05-AL2-62x106mm  
Quantité [pcs]1+10+50+100+
EUR/pcs1,74381,66631,62761,4338
Stock total: 761
Fabricant: -  
RoHS
Les prix sont indiqués hors TVA et n’incluent pas les frais d’expédition, auxquels s’ajouteront à l’ordre sous un poste distinct.

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