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MSCSM120AM042CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

pcs
ID Code:185959
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 1 272,913310 €
Prix hors TVA : 1 051,994471 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120AM042CT6LIAG
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 051,994471 €1 272,913310 €
5 + 1 008,163112 €1 219,877366 €
10 + 964,329779 €1 166,839033 €
25 + 920,496840 €1 113,801176 €
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120AM042CT6LIAG 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:2*FET-BD+2*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SP6LI 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:350 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)395 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2031  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18100 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:108x62x22 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
L - Longueur 108 [mm]
W - Largeur 62 [mm]
H - Hauteur 22 [mm]

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Quantité [pcs]1+50+200+500+
EUR/pcs2,3696682,2590842,1406002,030016
Stock total: 9304
Fabricant: SEMIC EU  
RoHS
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Quantité [pcs]1+5+10+25+
EUR/pcs121,500790116,438784111,376382106,313586
sur demande
Fabricant: Microchip Technology  
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Quantité [pcs]1+5+10+25+
EUR/pcs242,421011232,321880222,220774212,120063
Stock total: 1
Fabricant: Microchip Technology  
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Quantité [pcs]1+5+10+25+
EUR/pcs742,760664711,812006680,863349649,915087
sur demande
Fabricant: Microchip Technology  
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Quantité [pcs]1+5+10+25+
EUR/pcs229,648499220,080569210,511848200,943128
sur demande
Fabricant: Microchip Technology  
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Quantité [pcs]1+5+10+25+
EUR/pcs147,890995141,727883135,565956107,836493
sur demande
Fabricant: Microchip Technology  
RoHS
Les prix sont indiqués hors TVA et n’incluent pas les frais d’expédition, auxquels s’ajouteront à l’ordre sous un poste distinct.

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