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MSCSM120DAM11CT3AG

Boost Chopper Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F

pcs
ID Code:188037
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 361,113003 €
Prix hors TVA : 298,440498 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120DAM11CT3AG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 298,440498 €361,113003 €
5 + 286,005715 €346,066916 €
10 + 273,570525 €331,020335 €
25 + 261,135742 €315,974248 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120DAM11CT3AG 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Low side 1*(Boost Chopper) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:1*FET-BD+1*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SP3F 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:125 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)202 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1067  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9060 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.141 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 38 [mm]
L - Longueur 73.4 [mm]
W - Largeur 42.5 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
PIN dimensions1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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