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MSCSM120DAM31CTBL1NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL1

pcs
ID Code:189850
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 180,8823 €
Prix hors TVA : 149,4895 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120DAM31CTBL1NG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 149,4895 €180,8823 €
5 + 143,2619 €173,3469 €
10 + 137,0334 €165,8104 €
25 + 130,8046 €158,2735 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120DAM31CTBL1NG 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Low side 1*(Boost Chopper) 
Spécifications:!_sic n-channel mosfet_! 
Construction:1*FET-BD+1*D 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_bl1_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:16.2 [g]
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)310  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.483 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.635 [°C/W]
W - Largeur 25.6 [mm]
L - Longueur 40.3 [mm]
H - Hauteur 9.3 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)40x26x9 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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