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MSCSM120DHM31CTBL2NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL2

pcs
ID Code:189849
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 255,096977 €
Prix hors TVA : 210,823948 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120DHM31CTBL2NG
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 210,823948 €255,096977 €
5 + 202,039913 €244,468295 €
10 + 193,255878 €233,839612 €
25 + 184,471448 €223,210452 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120DHM31CTBL2NG 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Asymetrical Bridge 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:2*FET-BD+2*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :BL2 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:25.8 [g]
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)310  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:44x36x9 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.483 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.854 [°C/W]
L - Longueur 43.6 [mm]
W - Largeur 35.7 [mm]
H - Hauteur 9.3 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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