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MSCSM120HM083CAG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1200V, 251A, Module-SP6C

pcs
ID Code:189179
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 1 150,5202 €
Prix hors TVA : 950,8431 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120HM083CAG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (délai de livraison 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
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5 + 911,2250 €1 102,5822 €
10 + 871,6068 €1 054,6442 €
25 + 831,9882 €1 006,7058 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120HM083CAG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Type de composant:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Configuration:Full Bridge 
Spécifications:!_sic n-channel mosfet_! 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de matériel:!_sic full_! 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_sp6-41_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:330 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)600 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1042  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)10.4 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.144 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.34 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
Number of Pins 12 
W - Largeur 62 [mm]
L - Longueur 108 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
PIN dimensions2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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