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MSCSM120HM16CTBL3NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3

pcs
ID Code:189856
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 871,718677 €
Prix hors TVA : 720,428659 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120HM16CTBL3NG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 720,428659 €871,718677 €
5 + 690,411104 €835,397436 €
10 + 660,393550 €799,076195 €
25 + 630,375587 €762,754460 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120HM16CTBL3NG 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 1f 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :BL3 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:39 [g]
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)20 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)560  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6040 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:48x53x9 
Tmin (température minimale de travail)-55 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.268 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.45 [°C/W]
L - Longueur 47.5 [mm]
W - Largeur 52.6 [mm]
H - Hauteur 9.3 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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