SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3
ID Code: | 189856 |
Fabricant: | Microchip Technology |
Prix avec TVA : | 871,718677 € |
Prix hors TVA : | 720,428659 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilité: | sur demande |
Stock total: | 0 pcs |
Marquage fabricant: | MSCSM120HM16CTBL3NG |
Entrepôt central Zdice: | 0 pcs |
Unité:: | pcs |
Aperçu des remises sur volume | Quantité (pcs) | Prix hors TVA | Prix avec TVA | |
1 + | 720,428659 € | 871,718677 € | ||
5 + | 690,411104 € | 835,397436 € | ||
10 + | 660,393550 € | 799,076195 € | ||
25 + | 630,375587 € | 762,754460 € |
Marquage fabricant | MSCSM120HM16CTBL3NG |
Type de composant: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Configuration: | Bridge 1f |
Spécifications: | SiC N-Channel MOSFET |
Construction: | 4*FET-BD+4*D |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | BL3 |
Type de matériel: | SiC Full |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Unité: | pcs |
Poids: | 39 [g] |
Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
IR (reverse current) | 20 [µA] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 560 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6040 pF |
Dimensions (L*W*H) [mm]: | 48x53x9 |
Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.268 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.45 [°C/W] |
L - Longueur | 47.5 [mm] |
W - Largeur | 52.6 [mm] |
H - Hauteur | 9.3 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |