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MSCSM120HM50CT3AG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1200V, 55A, Module-SP3F

pcs
ID Code:188031
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 249,770204 €
Prix hors TVA : 206,421656 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120HM50CT3AG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 206,421656 €249,770204 €
5 + 197,819008 €239,361000 €
10 + 189,218336 €228,954187 €
25 + 180,617269 €218,546895 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120HM50CT3AG 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 1f 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SP3F 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:125 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)44 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)245  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1990 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.61 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 38 [mm]
L - Longueur 73.4 [mm]
W - Largeur 42.5 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
PIN dimensions1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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