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MSCSM170HM087CAG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1700V, 238A, Module-SP6C

pcs
ID Code:189222
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 1 998,5209 €
Prix hors TVA : 1 651,6702 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM170HM087CAG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Unité:: pcs
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QuantitéPrix hors TVAPrix avec TVA
1 + 1 651,6702 €1 998,5209 €
5 + 1 582,8492 €1 915,2475 €
10 + 1 514,0295 €1 831,9757 €
25 + 1 445,2103 €1 748,7045 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM170HM087CAG 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 1f 
Spécifications:!_sic n-channel mosfet_! 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_sp6-41_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:330 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)238 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)238 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)189 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1114  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)11.3 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)75 [ns]
tf (turn-off=fall time)56 [ns]
Qg (Total Gate Charge)712 [nC]
Cin/CL Load Capacitance13200 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.135 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.149 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
Number of Pins 12 
W - Largeur 62 [mm]
L - Longueur 108 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
PIN dimensions2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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