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MSCSM70HM19CT3AG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 700V, 124A, Module-SP3F

pcs
ID Code:188017
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 344,8377 €
Prix hors TVA : 284,9899 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM70HM19CT3AG
Entrepôt central Zdice: 0 pcs
Stockage externe (délai de livraison 5÷10 jours): 0 pcs
Unité:: pcs
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5 + 273,1135 €330,4673 €
10 + 261,2392 €316,0994 €
25 + 249,3644 €301,7309 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM70HM19CT3AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Type de composant:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Configuration:Bridge 1f 
Spécifications:!_sic n-channel mosfet_! 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de matériel:!_sic full_! 
RoHSOui 
REACHNon 
Type of casing:MODUL 
Cas:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:125 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)365  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)19 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)38 [ns]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf (turn-off=fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)215 [nC]
Cin/CL Load Capacitance4500 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.86 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Espacement de lignes 38 [mm]
W - Largeur 42.5 [mm]
L - Longueur 73.4 [mm]
H - Hauteur 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
PIN dimensions1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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