IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Základní informace:
Značení výrobce | SK200TMLI12F4TE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | 3-level TNPC Inverter ? |
Konstrukce: | 4*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 4 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITOP-E2 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 34 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 147 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 117 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.17 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.05 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 1134 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12300 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.4 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.05 [°C/W] |
L - Délka | 57 [mm] |
W - Šířka | 63 [mm] |
H - Výška | 17 [mm] |