MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives
Informations de base :
Marquage fabricant | SK250MB120CR03TE2 |
Type de composant: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Spécifications: | SiC N-Channel MOSFET |
Construction: | 2*FET-BD |
Type de cas: | Modul |
Cas [inch] : | SEMITOP-E2 |
Type de matériel: | SiC Full |
RoHS | Oui |
REACH | Non |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
Unité: | pcs |
Poids: | 24 [g] |
Petit paquet (nombre d'unités): | 15 |
Paramètres électro-physiques:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 223 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 40 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 29 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 708 [nC] |
Paramètres thermiques et mécaniques:
Tmin (température minimale de travail) | -40 [°C] |
Tmax (température maximale de service) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 1 [°C/W] |
L - Longueur | 57 [mm] |
W - Largeur | 63 [mm] |
H - Hauteur | 17 [mm] |