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SK250MB120CR03TE2

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

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SK250MB120CR03TE2 Semikron
SK250MB120CR03TE2 Semikron
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ID Code:186127
Fabricant:Semikron
Prix: sur demande
VAT:21 %
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: SK250MB120CR03TE2
Unité:: pcs
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Informations de base :

Marquage fabricantSK250MB120CR03TE2 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:2*FET-BD 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SEMITOP-E2 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:24 [g]
Petit paquet (nombre d'unités):15 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)223 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)40 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf (turn-off=fall time)29 [ns]
Qg (Total Gate Charge)708 [nC]

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)1 [°C/W]
L - Longueur 57 [mm]
W - Largeur 63 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]

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