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SKIIP26GH12T4V11

MOSFET 1200V Full SiC

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SKIIP26GH12T4V11 Semikron
SKIIP26GH12T4V11 Semikron
ID Code:231438
Fabricant:Semikron
Prix: sur demande
VAT:21 %
Disponibilité:En stock
Stock total:1 pcs
Marquage fabricant: SKiiP26GH12T4V11
Entrepôt central Zdice: 1 pcs
MOSFET 1200V Full SiC

Informations de base :

Marquage fabricantSKiiP26GH12T4V11 
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 3f 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:6*FET-BD+6*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :MiniSKiiP_2 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Emballage et poids :

Poids:122 [g]
Type d’emballage:BOX 
Petit paquet (nombre d'unités):24 
Grand paquet (BOX):72 

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)73 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.49 [VDC]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
tr (Turn-on / rise time)36 [ns]
tf (turn-off=fall time)175 [ns]
Qg (Total Gate Charge)400 [nC]

Paramètres thermiques et mécaniques:

Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)125 [°C]
Rthjc (case)0.6 [°C/W]

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